IXFP8N85XM

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFP8N85XM
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH
Datenblätte:	IXFP8N85XM.pdf
Zustand des Lagers	41740 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IXFP8N85XM

Artikelnummer	IXFP8N85XM	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	41740 pcs	Datenblatt	IXFP8N85XM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Isolated Tab
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	33W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	Not Applicable	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	654pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	850V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 850V 8A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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