IXFR30N50Q

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFR30N50Q
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
Datenblätte:	IXFR30N50Q.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6328 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6328 pcs

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Spezifikationen von IXFR30N50Q

Artikelnummer	IXFR30N50Q	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6328 pcs	Datenblatt	IXFR30N50Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ISOPLUS247™
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	310W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	ISOPLUS247™	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 30A (Tc) 310W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)

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