IXFT20N100P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFT20N100P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
Datenblätte:	IXFT20N100P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	9399 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9399 pcs

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Spezifikationen von IXFT20N100P

Artikelnummer	IXFT20N100P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	9399 pcs	Datenblatt	IXFT20N100P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-268
Serie	HiPerFET™, PolarP2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	570 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	660W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	126nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 20A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Tc)

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