IXFT30N50P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFT30N50P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
Datenblätte:	IXFT30N50P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	14827 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14827 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von IXFT30N50P

Artikelnummer	IXFT30N50P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	14827 pcs	Datenblatt	IXFT30N50P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-268
Serie	HiPerFET™, PolarHT™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	460W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4150pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 30A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)

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