IXFX14N100

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFX14N100
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247
Datenblätte:	IXFX14N100.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6253 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6253 pcs

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Spezifikationen von IXFX14N100

Artikelnummer	IXFX14N100	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6253 pcs	Datenblatt	IXFX14N100.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PLUS247™-3
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	360W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 14A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	14A (Tc)

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