IXFX34N80

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFX34N80
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
Datenblätte:	IXFX34N80.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3822 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3822 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $8.212

30 pcs: $6.904

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Spezifikationen von IXFX34N80

Artikelnummer	IXFX34N80	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3822 pcs	Datenblatt	IXFX34N80.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PLUS247™-3
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)	560W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 34A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	34A (Tc)

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