IXFX60N55Q2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFX60N55Q2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247
Datenblätte:	IXFX60N55Q2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4066 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4066 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von IXFX60N55Q2

Artikelnummer	IXFX60N55Q2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 550V 60A PLUS247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4066 pcs	Datenblatt	IXFX60N55Q2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PLUS247™-3
Serie	HiPerFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	735W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	550V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 550V 60A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)

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