IXFY5N50P3

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFY5N50P3
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 5A TO-252
Datenblätte:	IXFY5N50P3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	54764 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54764 pcs

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Spezifikationen von IXFY5N50P3

Artikelnummer	IXFY5N50P3	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 5A TO-252	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	54764 pcs	Datenblatt	IXFY5N50P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252
Serie	HiPerFET™, Polar3™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)	114W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5A (Tc)

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