IXTA110N12T2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTA110N12T2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Datenblätte:	IXTA110N12T2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	20056 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20056 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.809

50 pcs: $1.454

100 pcs: $1.325

500 pcs: $1.073

1000 pcs: $0.905

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Spezifikationen von IXTA110N12T2

Artikelnummer	IXTA110N12T2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	20056 pcs	Datenblatt	IXTA110N12T2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263 (IXTA)
Serie	TrenchT2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)	517W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 120V 110A (Tc) 517W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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