IXTA3N110

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTA3N110
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
Datenblätte:	IXTA3N110.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	14226 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14226 pcs

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Spezifikationen von IXTA3N110

Artikelnummer	IXTA3N110	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	14226 pcs	Datenblatt	IXTA3N110.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-263 (IXTA)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1100V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1100V 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Tc)

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