IXTF280N055T

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTF280N055T
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4
Datenblätte:	IXTF280N055T.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5510 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5510 pcs

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Spezifikationen von IXTF280N055T

Artikelnummer	IXTF280N055T	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5510 pcs	Datenblatt	IXTF280N055T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ISOPLUS i4-PAC™
Serie	TrenchMV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	200W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	i4-Pac™-5	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 160A (Tc) 200W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	160A (Tc)

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