IXTH110N10L2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTH110N10L2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
Datenblätte:	IXTH110N10L2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6885 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6885 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $5.465

10 pcs: $4.968

100 pcs: $4.223

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Spezifikationen von IXTH110N10L2

Artikelnummer	IXTH110N10L2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 110A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6885 pcs	Datenblatt	IXTH110N10L2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 (IXTH)
Serie	Linear L2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	600W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	624231 Q5291125
Betriebstemperatur	-	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 110A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)

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