IXTH1N200P3

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTH1N200P3
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
Datenblätte:	IXTH1N200P3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	12593 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12593 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.553

30 pcs: $2.095

120 pcs: $1.89

510 pcs: $1.584

1020 pcs: $1.38

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Spezifikationen von IXTH1N200P3

Artikelnummer	IXTH1N200P3	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	12593 pcs	Datenblatt	IXTH1N200P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 (IXTH)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	646pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23.5nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	2000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 2000V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1A (Tc)

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