IXTH48N65X2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTH48N65X2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 48A TO-247
Datenblätte:	IXTH48N65X2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	9947 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9947 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.869

30 pcs: $2.352

120 pcs: $2.122

510 pcs: $1.778

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Spezifikationen von IXTH48N65X2

Artikelnummer	IXTH48N65X2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 48A TO-247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	9947 pcs	Datenblatt	IXTH48N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	68 mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (max)	660W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	632407
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4420pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 48A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	48A (Tc)

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