IXTK120N65X2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTK120N65X2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
Datenblätte:	IXTK120N65X2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4607 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4607 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $7.179

25 pcs: $6.038

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Spezifikationen von IXTK120N65X2

Artikelnummer	IXTK120N65X2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 120A TO-264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4607 pcs	Datenblatt	IXTK120N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 8mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264 (IXTK)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)	1250W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	240nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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