IXTK22N100L

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTK22N100L
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
Datenblätte:	IXTK22N100L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2767 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2767 pcs

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Spezifikationen von IXTK22N100L

Artikelnummer	IXTK22N100L	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2767 pcs	Datenblatt	IXTK22N100L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264 (IXTK)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 11A, 20V
Verlustleistung (max)	700W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7050pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 15V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 22A (Tc) 700W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22A (Tc)

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