IXTM67N10

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTM67N10
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	POWER MOSFET TO-3
Datenblätte:	IXTM67N10.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3619 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3619 pcs

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Spezifikationen von IXTM67N10

Artikelnummer	IXTM67N10	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	POWER MOSFET TO-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3619 pcs	Datenblatt	IXTM67N10.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-204AE
Serie	GigaMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 33.5A, 10V
Verlustleistung (max)	300W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-204AE
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	67A (Tc)

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