IXTP18N60PM

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTP18N60PM
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH TO-220
Datenblätte:	IXTP18N60PM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	19769 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19769 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

150 pcs: $1.532

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Spezifikationen von IXTP18N60PM

Artikelnummer	IXTP18N60PM	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	19769 pcs	Datenblatt	IXTP18N60PM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Isolated Tab
Serie	Polar™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)	90W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 9A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9A (Tc)

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