IXTP1R4N120P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTP1R4N120P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
Datenblätte:	IXTP1R4N120P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	29232 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 29232 pcs

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Artikelnummer	IXTP1R4N120P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	29232 pcs	Datenblatt	IXTP1R4N120P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	Polar™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	86W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	666pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.8nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.4A (Tc)

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