IXTP260N055T2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTP260N055T2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 260A TO-220
Datenblätte:	IXTP260N055T2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	24353 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24353 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von IXTP260N055T2

Artikelnummer	IXTP260N055T2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 260A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	24353 pcs	Datenblatt	IXTP260N055T2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	TrenchT2™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	480W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 260A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	260A (Tc)

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