IXTP4N70X2M

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTP4N70X2M
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH
Datenblätte:	IXTP4N70X2M.pdf
Zustand des Lagers	36227 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IXTP4N70X2M

Artikelnummer	IXTP4N70X2M	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	36227 pcs	Datenblatt	IXTP4N70X2M.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220 Isolated Tab
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)	30W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	386pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	700V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 700V 4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)

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