IXTR102N65X2

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTR102N65X2
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Datenblätte:	IXTR102N65X2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5819 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5819 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von IXTR102N65X2

Artikelnummer	IXTR102N65X2	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5819 pcs	Datenblatt	IXTR102N65X2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ISOPLUS247™
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 51A, 10V
Verlustleistung (max)	330W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	ISOPLUS247™	Andere Namen	632316
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10900pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 54A (Tc) 330W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	54A (Tc)

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