IXTU05N100

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTU05N100
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251
Datenblätte:	IXTU05N100.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	40871 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40871 pcs

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Spezifikationen von IXTU05N100

Artikelnummer	IXTU05N100	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	40871 pcs	Datenblatt	IXTU05N100.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-251
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 Ohm @ 375mA, 10V
Verlustleistung (max)	40W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	260pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 750mA (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-251
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	750mA (Tc)

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