IXTU5N50P

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTU5N50P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252
Datenblätte:	IXTU5N50P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	59739 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59739 pcs

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Spezifikationen von IXTU5N50P

Artikelnummer	IXTU5N50P	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	59739 pcs	Datenblatt	IXTU5N50P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 50µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252, (D-Pak)
Serie	PolarHV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 2.4A, 10V
Verlustleistung (max)	89W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12.6nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 4.8A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.8A (Tc)

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