IXTX210P10T

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTX210P10T
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247
Datenblätte:	IXTX210P10T.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4274 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4274 pcs

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Spezifikationen von IXTX210P10T

Artikelnummer	IXTX210P10T	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4274 pcs	Datenblatt	IXTX210P10T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PLUS247™-3
Serie	TrenchP™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 105A, 10V
Verlustleistung (max)	1040W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	69500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	740nC @ 10V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 100V 210A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	210A (Tc)

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