IXTY12N06TTRL

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXTY12N06TTRL
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
Datenblätte:	IXTY12N06TTRL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4292 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4292 pcs

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Spezifikationen von IXTY12N06TTRL

Artikelnummer	IXTY12N06TTRL	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 12A TO-252	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4292 pcs	Datenblatt	IXTY12N06TTRL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252
Serie	TrenchMV™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	33W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	IXTY12N06TTRLTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	256pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.4nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 12A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount TO-252	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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