IXYN75N65C3D1

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXYN75N65C3D1
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	IGBT
Datenblätte:	IXYN75N65C3D1.pdf
Zustand des Lagers	4829 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von IXYN75N65C3D1

Artikelnummer	IXYN75N65C3D1	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	IGBT	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	4829 pcs	Datenblatt	IXYN75N65C3D1.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 60A
Testbedingung	400V, 60A, 3 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	26ns/93ns
Schaltenergie	2mJ (on), 950µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B
Serie	XPT™, GenX3™	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	65ns
Leistung - max	600W	Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Eingabetyp	Standard	IGBT-Typ	-
Gate-Ladung	122nC	detaillierte Beschreibung	IGBT 650V 150A 600W Chassis Mount SOT-227B
Strom - Collector Pulsed (Icm)	360A	Strom - Kollektor (Ic) (max)	150A

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