MII100-12A3

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MII100-12A3
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA
Datenblätte:	MII100-12A3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1529 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1529 pcs

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Spezifikationen von MII100-12A3

Artikelnummer	MII100-12A3	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1529 pcs	Datenblatt	MII100-12A3.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 75A
Supplier Device-Gehäuse	Y4-M5	Serie	-
Leistung - max	560W	Verpackung / Gehäuse	Y4-M5
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Chassis Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	5.5nF @ 25V	Eingang	Standard
IGBT-Typ	NPT	detaillierte Beschreibung	IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 135A 560W Chassis Mount Y4-M5
Strom - Collector Cutoff (Max)	5mA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	135A
Konfiguration	Half Bridge	Basisteilenummer	MII

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