IXFN200N10P

IXYS

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFN200N10P
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Datenblätte:	IXFN200N10P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4372 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4372 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

10 pcs: $7.147

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Spezifikationen von IXFN200N10P

Artikelnummer	IXFN200N10P	Hersteller	IXYS
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4372 pcs	Datenblatt	IXFN200N10P.pdf
Spannung - Prüfung	7600pF @ 25V	Spannung - Durchschlag	SOT-227B
VGS (th) (Max) @ Id	7.5 mOhm @ 500mA, 10V	Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Polar™	RoHS Status	Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200A	Polarisation	SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	IXFN200N10P
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	235nC @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5V @ 8mA
FET-Merkmal	N-Channel	Expanded Beschreibung	N-Channel 100V 200A 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Drain-Source-Spannung (Vdss)	-	Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100V	Kapazitätsverhältnis	680W (Tc)

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