IPB60R080P7ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IPB60R080P7ATMA1
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH TO263-3
Datenblätte:	IPB60R080P7ATMA1.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	14837 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14837 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.244

10 pcs: $2.005

100 pcs: $1.644

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Spezifikationen von IPB60R080P7ATMA1

Artikelnummer	IPB60R080P7ATMA1	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH TO263-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	14837 pcs	Datenblatt	IPB60R080P7ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 590µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	CoolMOS™ P7	Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 11.8A, 10V
Verlustleistung (max)	129W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	IPB60R080P7ATMA1CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 400V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	37A (Tc)

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