IPB65R045C7ATMA2

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IPB65R045C7ATMA2
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3
Datenblätte:	IPB65R045C7ATMA2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	13642 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13642 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1000 pcs: $2.808

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Spezifikationen von IPB65R045C7ATMA2

Artikelnummer	IPB65R045C7ATMA2	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 46A TO-263-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	13642 pcs	Datenblatt	IPB65R045C7ATMA2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1.25mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PG-TO263-3
Serie	CoolMOS™ C7	Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 24.9A, 10V
Verlustleistung (max)	227W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	IPB65R045C7ATMA2TR SP002447548
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4340pF @ 400V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	46A (Tc)

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