IRF1010NSTRL

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF1010NSTRL
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Datenblätte:	IRF1010NSTRL.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	45419 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45419 pcs

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Spezifikationen von IRF1010NSTRL

Artikelnummer	IRF1010NSTRL	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	45419 pcs	Datenblatt	IRF1010NSTRL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 43A, 10V
Verlustleistung (max)	180W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	85A (Tc)

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