IRF1018ESLPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF1018ESLPBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
Datenblätte:	IRF1018ESLPBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4353 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4353 pcs

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Spezifikationen von IRF1018ESLPBF

Artikelnummer	IRF1018ESLPBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 79A TO-262	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4353 pcs	Datenblatt	IRF1018ESLPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-262
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Verlustleistung (max)	110W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	SP001550908
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2290pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	79A (Tc)

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