IRF5210LPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF5210LPBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
Datenblätte:	IRF5210LPBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	34142 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 34142 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.078

10 pcs: $0.974

100 pcs: $0.783

500 pcs: $0.609

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Spezifikationen von IRF5210LPBF

Artikelnummer	IRF5210LPBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 38A TO-262	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	34142 pcs	Datenblatt	IRF5210LPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-262
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 38A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 170W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	SP001564364
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2780pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 100V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	38A (Tc)

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