IRF6618

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF6618
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Datenblätte:	IRF6618.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3197 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3197 pcs

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Spezifikationen von IRF6618

Artikelnummer	IRF6618	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3197 pcs	Datenblatt	IRF6618.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.35V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DIRECTFET™ MT
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	DirectFET™ Isometric MT	Andere Namen	IRF6618TR SP001523888
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5640pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Ta), 170A (Tc)

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