IRF6810STRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF6810STRPBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N CH 25V 16A S1
Datenblätte:	IRF6810STRPBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	48738 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48738 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.738

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100 pcs: $0.535

500 pcs: $0.416

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Spezifikationen von IRF6810STRPBF

Artikelnummer	IRF6810STRPBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N CH 25V 16A S1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	48738 pcs	Datenblatt	IRF6810STRPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 25µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DIRECTFET S1
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.2 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	2.1W (Ta), 20W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	DirectFET™ Isometric S1	Andere Namen	IRF6810STRPBFCT
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1038pF @ 13V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 16A (Ta), 50A (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16A (Ta), 50A (Tc)

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