IRF7907PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF7907PBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Datenblätte:	IRF7907PBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	98866 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 98866 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.383

10 pcs: $0.341

100 pcs: $0.266

500 pcs: $0.22

1000 pcs: $0.173

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Spezifikationen von IRF7907PBF

Artikelnummer	IRF7907PBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	98866 pcs	Datenblatt	IRF7907PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Leistung - max	2W	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	SP001572250
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	9.1A, 11A	Basisteilenummer	IRF7907PBF

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