IRF8113

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF8113
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Datenblätte:	IRF8113.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	3344 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3344 pcs

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Spezifikationen von IRF8113

Artikelnummer	IRF8113	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	3344 pcs	Datenblatt	IRF8113.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	*IRF8113
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2910pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	17.2A (Ta)

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