IRF9910PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF9910PBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Datenblätte:	IRF9910PBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	209250 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 209250 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3800 pcs: $0.177

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Spezifikationen von IRF9910PBF

Artikelnummer	IRF9910PBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	209250 pcs	Datenblatt	IRF9910PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.55V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.4 mOhm @ 10A, 10V
Leistung - max	2W	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	SP001575352
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A, 12A 2W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A, 12A	Basisteilenummer	IRF9910PBF

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