IRFHM830TR2PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRFHM830TR2PBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Datenblätte:	IRFHM830TR2PBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4793 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4793 pcs

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Spezifikationen von IRFHM830TR2PBF

Artikelnummer	IRFHM830TR2PBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 21A PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4793 pcs	Datenblatt	IRFHM830TR2PBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.35V @ 50µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PQFN (3x3)
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	2.7W (Ta), 37W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-VQFN Exposed Pad	Andere Namen	IRFHM830TR2PBFCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2155pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	21A (Ta), 40A (Tc)

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