IRFSL3307ZPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRFSL3307ZPBF
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
Datenblätte:	IRFSL3307ZPBF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45314 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45314 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von IRFSL3307ZPBF

Artikelnummer	IRFSL3307ZPBF	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 120A TO-262	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45314 pcs	Datenblatt	IRFSL3307ZPBF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-262
Serie	HEXFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)	230W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4750pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 75V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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