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SPB07N60C3ATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
SPB07N60C3ATMA1 Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: SPB07N60C3ATMA1
Hersteller / Marke: International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
Datenblätte: SPB07N60C3ATMA1.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 76395 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 76395 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
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Spezifikationen von SPB07N60C3ATMA1

Artikelnummer SPB07N60C3ATMA1 Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 76395 pcs Datenblatt SPB07N60C3ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 350µA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3-2
Serie CoolMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4.6A, 10V
Verlustleistung (max) 83W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Andere Namen SP000013518
SPB07N60C3
SPB07N60C3ATMA1TR
SPB07N60C3INTR
SPB07N60C3INTR-ND
SPB07N60C3XT
SPB07N60C3XT-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.3A (Tc)

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★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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