SPD08P06PGBTMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SPD08P06PGBTMA1
Hersteller / Marke:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
Datenblätte:	SPD08P06PGBTMA1.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	96217 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 96217 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.355

10 pcs: $0.314

100 pcs: $0.248

500 pcs: $0.193

1000 pcs: $0.152

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Spezifikationen von SPD08P06PGBTMA1

Artikelnummer	SPD08P06PGBTMA1	Hersteller	International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	96217 pcs	Datenblatt	SPD08P06PGBTMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PG-TO252-3
Serie	SIPMOS®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 10A, 6.2V
Verlustleistung (max)	42W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	SPD08P06PGBTMA1DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	420pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6.2V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 60V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.83A (Ta)

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