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SPD18P06PGBTMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
SPD18P06PGBTMA1 Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: SPD18P06PGBTMA1
Hersteller / Marke: International Rectifier (Infineon Technologies)
Produktbeschreibung MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
Datenblätte: SPD18P06PGBTMA1.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 165154 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 165154 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
2500 pcs
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Spezifikationen von SPD18P06PGBTMA1

Artikelnummer SPD18P06PGBTMA1 Hersteller International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 165154 pcs Datenblatt SPD18P06PGBTMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3
Serie SIPMOS® Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Verlustleistung (max) 80W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Andere Namen SP000443926
SPD18P06P G
SPD18P06P G-ND
SPD18P06P GTR-ND
SPD18P06PG
SPD18P06PGBTMA1TR
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 860pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Typ FET P-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
detaillierte Beschreibung P-Channel 60V 18.6A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18.6A (Tc)

Lieferung

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