2SD2656FRAT106

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	2SD2656FRAT106
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR
Datenblätte:	1.2SD2656FRAT106.pdf 2.2SD2656FRAT106.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	173702 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 173702 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.179

10 pcs: $0.13

25 pcs: $0.101

100 pcs: $0.076

250 pcs: $0.054

500 pcs: $0.043

1000 pcs: $0.033

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Spezifikationen von 2SD2656FRAT106

Artikelnummer	2SD2656FRAT106	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	173702 pcs	Datenblatt	1.2SD2656FRAT106.pdf 2.2SD2656FRAT106.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	30V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	350mV @ 25mA, 500mA
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	UMT3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Leistung - max	200mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323
Andere Namen	2SD2656FRAT106CT	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	400MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1A 400MHz 200mW Surface Mount UMT3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	270 @ 100mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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