BC857BHZGT116

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BC857BHZGT116
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (
Datenblätte:	1.BC857BHZGT116.pdf 2.BC857BHZGT116.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3689813 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3689813 pcs

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Spezifikationen von BC857BHZGT116

Artikelnummer	BC857BHZGT116	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3689813 pcs	Datenblatt	1.BC857BHZGT116.pdf 2.BC857BHZGT116.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	45V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	650mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	SST3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Leistung - max	200mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	BC857BHZGT116TR	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	210 @ 2mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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