BSM300D12P2E001

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	BSM300D12P2E001
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 300A
Datenblätte:	1.BSM300D12P2E001.pdf 2.BSM300D12P2E001.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	150 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $247.027

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Spezifikationen von BSM300D12P2E001

Artikelnummer	BSM300D12P2E001	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1200V 300A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	150 pcs	Datenblatt	1.BSM300D12P2E001.pdf 2.BSM300D12P2E001.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 68mA	Supplier Device-Gehäuse	Module
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Leistung - max	1875W	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	Module	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	35000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-	Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal	Silicon Carbide (SiC)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1875W Chassis Mount Module	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	300A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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DHL	www.DHL.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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