DTA143EEBHZGTL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTA143EEBHZGTL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Datenblätte:	1.DTA143EEBHZGTL.pdf 2.DTA143EEBHZGTL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2387490 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2387490 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Artikelnummer	DTA143EEBHZGTL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2387490 pcs	Datenblatt	1.DTA143EEBHZGTL.pdf 2.DTA143EEBHZGTL.pdf
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Transistor-Typ	PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse	EMT3F (SOT-416FL)	Serie	Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)	4.7 kOhms	Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms
Leistung - max	150mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-89, SOT-490	Andere Namen	DTA143EEBHZGTLTR
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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