DTC123JUBHZGTL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTC123JUBHZGTL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Datenblätte:	1.DTC123JUBHZGTL.pdf 2.DTC123JUBHZGTL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2189544 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2189544 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.013

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Spezifikationen von DTC123JUBHZGTL

Artikelnummer	DTC123JUBHZGTL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2189544 pcs	Datenblatt	1.DTC123JUBHZGTL.pdf 2.DTC123JUBHZGTL.pdf
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA	Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse	UMT3F	Serie	Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms	Widerstand - Basis (R1)	2.2 kOhms
Leistung - max	200mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-85	Andere Namen	DTC123JUBHZGTLTR
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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