DTC314TUT106

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTC314TUT106
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Datenblätte:	DTC314TUT106.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2720 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2720 pcs

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Spezifikationen von DTC314TUT106

Artikelnummer	DTC314TUT106	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2720 pcs	Datenblatt	DTC314TUT106.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	15V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	80mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	UMT3
Serie	-	Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms
Leistung - max	200mW	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	DTC314TUT106DKR
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	200MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 15V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100 @ 50mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	600mA
Basisteilenummer	DTC314

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